抹除非挥发性记忆体之方法

摘要

本发明系揭露一种抹除非挥发性记忆体之方法，该方法系利用源极以及汲极与基底接触顺向偏压，将基底接触之多数载子注入到基底，再利用基底与闸极间之电场加速多数载子，使多数载子获得能量后克服氧化层能障，以抹除非挥发性记忆体。