发明名称 双垂直通道电晶体及其制造方法
摘要 一种双垂直通道电晶体包含一音叉型基底;一埋入式位元线埋入一凹槽的底部,其中凹槽位于音叉型基底的两个尖叉部之间;一第一源/汲极区位于音叉型基底内并紧邻该埋入式位元线;一第二源/汲极区位于音叉型基底的尖叉部的顶部;一磊晶层连接音叉型基底的尖叉部,且磊晶层位于第一源/汲极区与第二源/汲极区之间;一前闸极位于音叉型基底的一第一侧面上;以及一后闸极位于音叉型基底相对于第一侧面的一第二侧面上。
申请公布号 TWI419332 申请公布日期 2013.12.11
申请号 TW099115293 申请日期 2010.05.13
申请人 南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 发明人 任兴华
分类号 H01L29/78;H01L29/40 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号