发明名称 |
双垂直通道电晶体及其制造方法 |
摘要 |
一种双垂直通道电晶体包含一音叉型基底;一埋入式位元线埋入一凹槽的底部,其中凹槽位于音叉型基底的两个尖叉部之间;一第一源/汲极区位于音叉型基底内并紧邻该埋入式位元线;一第二源/汲极区位于音叉型基底的尖叉部的顶部;一磊晶层连接音叉型基底的尖叉部,且磊晶层位于第一源/汲极区与第二源/汲极区之间;一前闸极位于音叉型基底的一第一侧面上;以及一后闸极位于音叉型基底相对于第一侧面的一第二侧面上。 |
申请公布号 |
TWI419332 |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
TW099115293 |
申请日期 |
2010.05.13 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
任兴华 |
分类号 |
H01L29/78;H01L29/40 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
主权项 |
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地址 |
桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |