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发明名称
晶片之凸块结构及凸块结构之制造方法
摘要
一种晶片之凸块结构包括至少一弹性凸块、至少一第一金属层、至少一第二金属层及至少一焊球。凸块结构可形成于一基板上,基板可包括至少一焊垫及一介电层,介电层具至少一开口,其中至少一开口暴露相应之至少一焊垫。至少一弹性凸块覆盖相应之至少一焊垫之部分。至少一第一金属层相应地覆盖至少一弹性凸块及至少一焊垫之未被至少一弹性凸块遮盖之部分。至少一第二金属层相应地形成于位在至少一弹性凸块之顶部之第一金属层上。至少一焊球相应地形成于第二金属层上。
申请公布号
TWI419284
申请公布日期
2013.12.11
申请号
TW099116772
申请日期
2010.05.26
申请人
南茂科技股份有限公司 新竹县新竹科学工业园区研发一路1号
发明人
黄成棠
分类号
H01L23/488;H01L21/60
主分类号
H01L23/488
代理机构
代理人
洪荣宗 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
新竹县新竹科学工业园区研发一路1号
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