发明名称 |
积层式晶片的制造方法与制程调校方法 |
摘要 |
一种积层式晶片的制造方法,主要是于一载板一表面涂覆一第一导电层,然后,于该载板的表面涂覆一绝缘层,使该绝缘层覆盖该第一导电层,再以电子束轰击该绝缘层,使该绝缘层形成显露该第一导电层的数孔洞,最后,于该绝缘层一表面涂覆一第二导电层,使该第二导电层透过该等孔洞与该第一导电层导接。藉此,以可程式控制击发位置的电子束,省略对位的困扰及程序,进而能提升成品精度,且进一步应用在制程调校方法,同样可以达到简化对位程序,及节省人力与调校时间的目的。 |
申请公布号 |
TWI419197 |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
TW099113087 |
申请日期 |
2010.04.26 |
申请人 |
钰铠科技股份有限公司 台中市西屯区工业区三十六路29号 |
发明人 |
黄其集 |
分类号 |
H01J37/30 |
主分类号 |
H01J37/30 |
代理机构 |
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代理人 |
高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
台中市西屯区工业区三十六路29号 |