大面积薄型单晶矽之制作技术

摘要

本发明提供一种大面积薄型单晶矽之制作技术，特别是有关一种利用金属辅助蚀刻技术于矽基板或矽晶圆上制作微米结构或奈米结构并脱离矽基板或晶圆的方法。此方法藉由金属催化剂沈积、纵向蚀刻、侧向蚀刻、而使微米结构或奈米结构剥离或转移等简单的制程，形成薄型单晶矽，并将基板表面处理后，使基板进行回收用于重复制作薄型单晶矽，而对基板做一充分的利用，达到降低其制作成本之目的与增加应用的范围。