发明名称 半导体发光装置及其制造方法
摘要 本发明之半导体发光装置包含:半导体层,包含发光层,并具有第一主要表面及与该第一主要表面相对之第二主要表面;萤光层,面对该第一主要表面;互连层,系设置在该第二主要表面侧上,并包含导体及绝缘体;以及光阻挡构件,系设置在该半导体层之侧表面上,并对从该发光层发射出之光而言为不透光的。
申请公布号 TWI419379 申请公布日期 2013.12.11
申请号 TW099105669 申请日期 2010.02.26
申请人 东芝股份有限公司 日本 发明人 杉崎吉昭;小岛章弘;小幡进
分类号 H01L33/52;H01L33/58 主分类号 H01L33/52
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本