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发明名称
半导体发光装置及其制造方法
摘要
本发明之半导体发光装置包含:半导体层,包含发光层,并具有第一主要表面及与该第一主要表面相对之第二主要表面;萤光层,面对该第一主要表面;互连层,系设置在该第二主要表面侧上,并包含导体及绝缘体;以及光阻挡构件,系设置在该半导体层之侧表面上,并对从该发光层发射出之光而言为不透光的。
申请公布号
TWI419379
申请公布日期
2013.12.11
申请号
TW099105669
申请日期
2010.02.26
申请人
东芝股份有限公司 日本
发明人
杉崎吉昭;小岛章弘;小幡进
分类号
H01L33/52;H01L33/58
主分类号
H01L33/52
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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