半导体装置、半导体装置之制造方法、及功率放大器元件

摘要

兹提出一种半导体装置，其包含：具有第一型导电率之高浓度杂质之半导体基板；及设置在半导体基板上之具有低浓度杂质之磊晶层，其中系将耦合至半导体基板之沟渠设置在具有低浓度杂质之磊晶层中。且此半导体装置更包含沿沟渠之内壁形成在至少具有低浓度杂质之磊晶层中、具有与半导体基板相同类型导电率、并耦合至具有第一型导电率之高浓度杂质之半导体基板之第一型导电率之高浓度杂质区域，及形成在第一型导电率之高浓度杂质区域上之接点。