发明名称 |
在半导体检查装置用接触探针栓销之基材上制造含钨类钻碳覆膜之方法 |
摘要 |
一种制造方法,该方法系在半导体检查装置用接触探针栓销之基材上制造含钨类钻碳覆膜之方法,其特征为:上述含钨类钻碳覆膜系使用钨碳化物靶材,而在碳氢化合物气体和氩气之混合气体中进行溅镀,依此被形成在基材上。 |
申请公布号 |
TWI418801 |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
TW100102298 |
申请日期 |
2011.01.21 |
申请人 |
神户制钢所股份有限公司 日本 |
发明人 |
伊藤弘高;山本兼司 |
分类号 |
G01R1/067;C23C14/06;C23C14/34 |
主分类号 |
G01R1/067 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
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地址 |
日本 |