| 摘要 |
本发明提供一种适用于平坦化半导体、光学及磁性基材之至少一者之研磨垫。该研磨垫包括具有顶部研磨表面之聚合物基质。该顶部研磨表面具有聚合物研磨粗糙凸起(polymeric polishing asperity)或藉由使用研磨料处理而形成聚合物研磨粗糙凸起。该聚合物研磨粗糙凸起系由具有至少45重量百分比之硬链段(hard segment)及至少6,500psi(44.8MPa)之总体极限抗拉强度(bulk ultimate tensile strength)的聚合物材料所形成。且该聚合物基质具有两相结构，为硬质相及软质相，该两相结构具有硬质相之平均面积对软质相之平均面积之比率为少于1.6。 |
