形成积体电路结构的方法

摘要

本发明提供一种形成位于晶片上积体电路结构的方法。包括从积体电路结构的设计取出主动层；形成围绕主动层且与主动层形状一致的保护带，且保护带与主动层相隔沿X轴方向的第一固定间距以及沿Y轴方向的第二固定间距；移除保护带的凸角；于保护带外侧的晶片的剩余空间中增加虚设扩散图案。特别指定第一和第二固定间距与积体电路结构的电性参数模型特性描述的间距相同。上述方法的虚设扩散图案具有不同的粒度。上述方法增加虚设扩散图案以使遍及晶片的扩散区密度为均一。