选择性沉积外延锗合金应力源的方法与设备

摘要

本发明描述形成异质结应力源层的方法与设备。将锗前驱物与金属前驱物提供至腔室，并在基板上形成锗-金属合金的外延层。金属前驱物通常是金属卤化物，可由升华固态金属卤化物或通过卤素气体接触纯金属来提供金属卤化物。可通过喷头或通过侧进入点来提供前驱物，并可分开地加热耦接至腔室的排气系统以管理排气成分的凝结。

主权项

一种在基板上形成数个锗应力源层的方法，所述方法包括：将所述基板置于处理腔室中；将锗前驱物流入所述处理腔室中；在反应空间中形成金属卤化物应力源前驱物，所述反应空间耦接至所述处理腔室；将所述应力源前驱物流入所述处理腔室中；以及在所述基板上外延生长所述锗应力源层。