发明名称 抗指纹薄膜及其制备方法
摘要 本发明公开了一种抗指纹薄膜及其制备方法,抗指纹薄膜包括基材,基材表面依次沉积有厚度为15-35nm的氧化硅层、氟化物层。首先选取待加工产品作为基材,对基材表面进行清洗、除尘;然后利用磁控溅射镀膜机依次进行离子清洗、镀制氧化硅层、除尘;之后利用真空蒸发镀膜机沉积氟化物层。可使产品外观保持洁净、使指纹等脏污极易擦拭干净、增强产品表面硬度。
申请公布号 CN103434203A 申请公布日期 2013.12.11
申请号 CN201310300953.5 申请日期 2013.07.17
申请人 北京东明兴业科技有限公司 发明人 王炜;刘茂立;王宏烈;李艳茹;孟淑文;陈世杰
分类号 B32B9/04(2006.01)I;B32B27/06(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I 主分类号 B32B9/04(2006.01)I
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人 郑立明;赵镇勇
主权项 一种抗指纹薄膜,包括基材,其特征在于,所述基材表面依次沉积有氧化硅层、氟化物层,所述氧化硅层与氟化物层的总厚度为15‑35nm。
地址 北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街41号