发明名称 |
抗指纹薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种抗指纹薄膜及其制备方法,抗指纹薄膜包括基材,基材表面依次沉积有厚度为15-35nm的氧化硅层、氟化物层。首先选取待加工产品作为基材,对基材表面进行清洗、除尘;然后利用磁控溅射镀膜机依次进行离子清洗、镀制氧化硅层、除尘;之后利用真空蒸发镀膜机沉积氟化物层。可使产品外观保持洁净、使指纹等脏污极易擦拭干净、增强产品表面硬度。 |
申请公布号 |
CN103434203A |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
CN201310300953.5 |
申请日期 |
2013.07.17 |
申请人 |
北京东明兴业科技有限公司 |
发明人 |
王炜;刘茂立;王宏烈;李艳茹;孟淑文;陈世杰 |
分类号 |
B32B9/04(2006.01)I;B32B27/06(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I |
主分类号 |
B32B9/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 |
代理人 |
郑立明;赵镇勇 |
主权项 |
一种抗指纹薄膜,包括基材,其特征在于,所述基材表面依次沉积有氧化硅层、氟化物层,所述氧化硅层与氟化物层的总厚度为15‑35nm。 |
地址 |
北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街41号 |