发明名称 |
一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法,属于半导体技术领域。外延片包括衬底、以及在衬底上依次生长的GaN成核层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层以及p型层,多量子阱层为多周期结构,每个周期包括InGaN层和GaN层,多周期结构之与n型层接触的周期为第一周期,第一周期的GaN层δ掺杂有Si,且第一周期的GaN层的Si掺杂在远离第一相邻层的位置,第一相邻层为与第一周期的GaN层接触的InGaN层。本发明通过上述方案,可以降低多量子阱层中的位错,屏蔽极化电场的影响,提高晶体质量,Si不会扩散到InGaN层中,可避免在多量子阱层中形成点缺陷,使得电子和空穴的复合效率高,发光效率高。 |
申请公布号 |
CN103441197A |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
CN201310329712.3 |
申请日期 |
2013.07.31 |
申请人 |
华灿光电股份有限公司 |
发明人 |
吴克敏;魏世祯 |
分类号 |
H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/06(2010.01)I |
代理机构 |
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 |
代理人 |
徐立 |
主权项 |
一种GaN基发光二极管外延片,所述外延片包括衬底、以及在所述衬底上依次生长的GaN成核层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层以及p型层,所述多量子阱层为多周期结构,每个周期包括InGaN层和GaN层,其特征在于,所述多周期结构之与所述n型层接触的周期为第一周期,所述第一周期的GaN层δ掺杂有Si,且所述第一周期的GaN层的Si掺杂在远离第一相邻层的位置,所述第一相邻层为与所述第一周期的GaN层接触的InGaN层。 |
地址 |
430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 |