形成单晶硅层的方法

摘要

本发明提供一种形成单晶硅层的方法，用于相变随机存取存储器，该方法包括：提供前端器件结构，包括单元阵列区和外围电路区；在单元阵列区和外围电路区的表面上形成氧化物层；在氧化物层上形成多晶硅籽晶层；蚀刻多晶硅籽晶层和氧化物层，以去除多晶硅籽晶层和氧化物层的位于单元阵列区中的部分，并且保留多晶硅籽晶层和氧化物层的位于外围电路区的部分；以及在单元阵列区的表面上以及多晶硅籽晶层和氧化物层的位于外围电路区的部分上形成所述单晶硅层。该方法能够在外围电路区中提供均一性较佳的单晶硅层，从而改善单晶硅层在单元阵列区和外围电路区中的整体均一性，进而提高最终形成的PCRAM的整体电学性能并实现工艺流程的简单化。

主权项

一种形成单晶硅层的方法，所述单晶硅层用于相变随机存取存储器，所述方法包括下列步骤：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括单元阵列区和外围电路区；在所述单元阵列区和所述外围电路区的表面上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成多晶硅籽晶层；蚀刻所述多晶硅籽晶层和所述氧化物层，以去除所述多晶硅籽晶层和所述氧化物层的位于所述单元阵列区表面上的部分，并且保留所述多晶硅籽晶层和所述氧化物层的位于所述外围电路区表面上的部分；以及在所述单元阵列区的表面上以及所述多晶硅籽晶层和所述氧化物层的位于所述外围电路区表面上的部分上形成所述单晶硅层。