发明名称 Growth layer for photovoltaic applications and method of producing the same
摘要 <p>Sputtered zinc oxide layer is used to improve and control the crystalline properties of a molybdenum back contact used in photovoltaic cells. Optimum thicknesses for the zinc oxide layer are identified.</p>
申请公布号 EP2671259(A2) 申请公布日期 2013.12.11
申请号 EP20120707120 申请日期 2012.02.03
申请人 PILKINGTON GROUP LIMITED 发明人 MCSPORRAN, NEIL
分类号 H01L31/02;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749 主分类号 H01L31/02
代理机构 代理人
主权项
地址