半导体器件以及半导体器件制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件以及半导体器件制造方法。通过以交替方式进行以彼此不同的生长速率生长III族氮化物的第一和第二生长步骤的多个循环，在生长基板上形成具有多个空腔的空腔包含层。随后在空腔包含层上形成半导体外延层，之后将支承基板接合到半导体外延层。将生长基板从空腔包含层分离。

主权项

一种半导体晶片，该半导体晶片包括：生长基板；由形成在所述生长基板上的III族氮化物系化合物半导体构成的空腔包含层，所述空腔包含层包括散布在该空腔包含层中的空腔和柱状结构；以及形成在所述空腔包含层上的III族氮化物系化合物半导体外延层，其中，所述空腔包含层包括附着在所述空腔的内壁上的金属Ga。