使用字线耦合的用于存储器的多趟次编程

摘要

在编程验证操作期间使用字线到字线方向上的电容耦合来优化多趟次编程方案。在不同的编程趟次中，在被验证的所选字线的相邻字线上使用不同的趟次电压。具体地说，可以在第一趟次而不是第二趟次中使用较低的趟次电压。编程处理可以包括字线前瞻或Z字形序列，在该序列中，WLn在第一趟次中被编程，随后WLn+1在第一趟次中被编程，随后WLn在第二趟次中被编程，随后WLn+1在第二趟次中被编程。在将存储元件编程为中间状态和/或最高状态的第一趟次之前可以执行初始编程趟次。

主权项

一种用于操作非易失性存储的方法，包括：(a)对串联存储元件的集合(200)中的特定存储元件(714)执行编程和验证操作，以将该特定存储元件的阈值电压提升到第一验证电平(Vva‑pw1、Vvb‑pw1、Vvc‑pw1、Vvx‑pw1)，以及在所述验证操作期间，将第一趟次电压(Vread‑pw1)施加到所述串联存储元件的集合中的所述特定存储元件的相邻存储元件(724)；(b)随后，对所述相邻存储元件执行编程和验证操作，以提升所述相邻存储元件的阈值电压；(c)随后，对所述特定存储元件执行进一步的编程和验证操作，以将所述特定存储元件的阈值电压提升到所述第一验证电平之上的第二验证电平(Vva‑pw2、Vvb‑pw2、Vvc‑pw2、Vvx‑pw2)，且在所述进一步的验证操作期间，将与所述第一趟次电压不同的第二趟次电压(Vread‑pw2)施加到所述相邻存储元件。