| 发明名称 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本实用新型还公开了上述生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片的制备方法。本实用新型具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN203339207U | 申请公布日期 | 2013.12.11 |
| 申请号 | CN201320312722.1 | 申请日期 | 2013.05.31 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，其特征在于，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。 | ||
| 地址 | 510641 广东省广州市天河区五山路381号 | ||