半导体器件及相关制造方法

摘要

本发明提供了半导体器件结构及相关的制造方法。示例性的半导体器件结构（100）包括沟槽栅极结构（114）、横向栅极结构（118）、具有第一导电类型的主体区（124）、漏极区（125）以及具有第二导电类型的第一源极区及第二源极区（128、130）。第一源极区及第二源极区（128、130）形成于主体区（124）内。漏极区（125）与主体区（124）相邻，并且第一源极区（128）与沟槽栅极结构（114）相邻，其中被布置于第一源极区（128）与漏极区（125）之间的主体区（124）的第一部分与沟槽栅极结构（114）相邻。主体区（124）的第二部分被布置于第二源极区（130）与漏极区（125）之间，并且横向栅极结构（118）被布置为覆盖于主体区（124）的第二部分之上。

主权项

一种半导体器件结构，包括：沟槽栅极结构；横向栅极结构；具有第一导电类型的半导体材料的主体区；具有第二导电类型的半导体材料的第一源极区，所述第一源极区与所述沟槽栅极结构相邻地形成于所述主体区内；具有所述第二导电类型的半导体材料的第二源极区，所述第二源极区形成于所述主体区内；具有所述第二导电类型的半导体材料的漏极区，所述漏极区与所述主体区相邻，其中：被布置于所述第一源极区与所述漏极区之间的所述主体区的第一部分与所述沟槽栅极结构相邻；以及所述横向栅极结构覆盖于被布置于所述第二源极区与所述漏极区之间的所述主体区的第二部分之上。