发明名称 一种灰阶掩模板
摘要 本实用新型涉及光刻技术领域,特别是一种灰阶掩模板,该灰阶掩模板包括基板;设置在所述基板上的遮光层和电致变色器件;所述遮光层上设有透光区,所述电致变色器件与所述透光区相对应设置。本实用新型通过电致变光器件可控制掩模板上透光区的光透过率,从而满足光刻工艺中不同的透光率要求,节省了曝光工艺的加工成本;而且,在制作工艺中,无需二次曝光对位处理,避免在二次曝光对位处理中出现较大的位置偏差的问题;本实用新型可通过电致变色器件获得不同的光透过率,可在曝光工艺中,对工艺的调整更加灵活、方便,更易于获得更优化的结构设计。
申请公布号 CN203337997U 申请公布日期 2013.12.11
申请号 CN201320434114.8 申请日期 2013.07.19
申请人 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 发明人 颜莎宁
分类号 G03F1/32(2012.01)I;G02F1/153(2006.01)I 主分类号 G03F1/32(2012.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 韩国胜
主权项 一种灰阶掩模板,其特征在于,包括:基板;设置在所述基板上的遮光层和电致变色器件;所述遮光层上设有透光区,所述电致变色器件用于控制所述遮光层上透光区的光透过率。
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