改善栅氧化层表面均匀度的方法

摘要

本发明涉及半导体MOS器件的制造工艺领域，尤其涉及一种改善栅氧化层表面均匀度的方法，通过在高温下对原位水蒸汽氧化法形成的栅氧化层引入惰性气体以进行实时退火处理，使得最终形成的核心栅氧化层，在保持制备的栅氧化层厚度不变的情况下，有效提高其表面均匀度，进而避免了因栅氧化层厚度的不均匀而造成后续的光刻或蚀刻工艺产生缺陷，增强了产品的性能，且提高了产品的良率。

主权项

一种改善栅氧化层表面均匀度的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一硅片；对所述硅片进行预清洗工艺；于所述硅片的表面制备第一栅氧化层；部分去除所述第一栅氧化层，以定义核心栅氧化层区域；采用原位水蒸气氧化工艺于所述核心栅氧化层区域制备核心栅氧化层；制备多晶硅层覆盖所述核心栅氧化层和剩余的第一氧化层的表面；继续后续的栅极结构制备工艺。