| 发明名称 | 半导体元件，半导体封装结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种半导体元件，半导体封装结构及其制造方法。该半导体元件包括一半导体晶粒、一背侧镀金属、一热介面材料及一第一介金属化合物。该背侧镀金属位于该半导体晶粒的一表面。该热介面材料位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金。该第一介金属化合物位于该背侧镀金属及该热介面材料之间，且包含铟而不包含锌。藉此，在回焊工艺后，可增加接合效果及散热效果。 | ||
| 申请公布号 | CN103441109A | 申请公布日期 | 2013.12.11 |
| 申请号 | CN201310400313.1 | 申请日期 | 2013.09.05 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 萧友享;杨秉丰;李长祺 |
| 分类号 | H01L23/373(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/373(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
| 主权项 | 一种半导体元件，包括：一半导体晶粒，具有一第一表面及一第二表面；一背侧镀金属，位于该半导体晶粒的第二表面；一热介面材料，位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金；及一第一介金属化合物，位于该背侧镀金属及该热介面材料之间，且包含铟而不包含锌。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 | ||