多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法，其中，包括如下步骤：将曝光、显影后的晶圆置于背烘装置的底板上；同时对上述曝光、显影后的晶圆进行背烘和电子束轰击，并根据工艺需要控制光阻收缩率；光阻收缩率满足工艺需要后，对上述曝光、显影后的晶圆停止背烘和电子束轰击；将上述停止背烘和电子束轰击的曝光、显影后的晶圆冷却至常温，之后进行后续工艺。本发明具有如下优点或者有益效果：通过电子束与背烘结合的方法，能快速收缩光阻，并能有效控制光阻收缩程度，满足工艺需求；同时增强了光阻的抗刻蚀能力，有效提高了刻蚀的选择比，在达到同样刻蚀目的效果时所需要的光刻胶的厚度减薄，从而节省光刻胶，减少了资源浪费。

主权项

一种多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法，其特征在于，包括如下步骤：将曝光、显影后的晶圆置于背烘装置的底板上；同时对上述曝光、显影后的晶圆进行背烘和电子束轰击，并根据工艺需要控制光阻收缩率；光阻收缩率满足工艺需要后，对上述曝光、显影后的晶圆停止背烘和电子束轰击；将上述停止背烘和电子束轰击的曝光、显影后的晶圆冷却至常温，之后进行后续工艺。