半导体结构及其制造方法

摘要

本发明关于一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：(a)提供一第一晶圆及一第二晶圆；(b)配置该第一晶圆于该第二晶圆上；(c)移除部分该第一晶圆，以形成一沟槽；(d)形成一穿导孔于该沟槽内；及(e)形成至少一电性连接组件于该第一晶圆上。藉此，只需形成一个穿导孔即可贯穿且电性连接这些晶圆，故可简化工艺且降低成本。

主权项

一种半导体结构的制造方法，包括：(a)提供一第一晶圆及一第二晶圆，该第一晶圆具有一第一主动面及至少一第一电性连接垫，该第一电性连接垫显露于该第一主动面，且具有至少一穿孔，该第二晶圆具有一第二主动面及至少一第二电性连接垫，该第二电性连接垫显露于该第二主动面；(b)配置该第一晶圆于该第二晶圆上，其中该第二晶圆的第二主动面面对该第一晶圆的第一主动面；(c)移除部分该第一晶圆，以形成一沟槽，该沟槽与该第一电性连接垫的穿孔相连通，且显露该第一电性连接垫及该第二电性连接垫，其中该沟槽未延伸至该第二晶圆；(d)形成一穿导孔于该沟槽内，该穿导孔电性连接该第一电性连接垫及该第二电性连接垫，其中该穿导孔未延伸至该第二晶圆；及(e)形成至少一电性连接组件于该第一晶圆上，该电性连接组件电性连接至该穿导孔。