发明名称 一种有源电压限位电路
摘要 本发明涉及模拟集成电路电路技术领域。本发明针对现有的电压限位电路输出电压不够稳定,精确度差的问题,公开了一种有源电压限位电路。本发明的技术方案是,一种有源电压限位电路,包括四只NMOS管:M1、M2、M14、M18,十四只PMOS管:M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、M15、M16、M17,两只PNP型三极管:Q1、Q2,一只NPN型三极管:Q3,反相器和二选一选择电路。当输入电压在设定的阈值电压范围内时,输出电压跟随输入电压变化,跟随精度高。当输入电压在设定的阈值电压范围外时,输出电压为上阈值电压或下阈值电压,输出电压稳定性高。
申请公布号 CN103440010A 申请公布日期 2013.12.11
申请号 CN201310380044.7 申请日期 2013.08.27
申请人 电子科技大学 发明人 周泽坤;张庆岭;王霞;张瑜;石跃;明鑫;王卓;张波
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人 李顺德
主权项 一种有源电压限位电路,其特征在于,包括四只NMOS管:M1、M2、M14、M18,十四只PMOS管:M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、M15、M16、M17,两只PNP型三极管:Q1、Q2,一只NPN型三极管:Q3,反相器和二选一选择电路;具体连接关系如下:NMOS管M1、M2构成电流镜,M1、M2管源极接地,电流源IB与M1栅漏相连,M1栅极连接M18栅极,M2栅极连接M3栅漏极,M3栅极连接PMOS管M4、M5、M6、M7、M9、M11、M15栅极,M4、M5、M6、M7、M9、M11、M15源极接高电平VDD,M4漏极连接M5源极和Q1管基极,M5管漏极接地,M5管栅极和M10管栅极相连并连接输入电压VIN,M6漏极连接PNP型三极管Q1、Q2发射极和NPN型三极管Q3的基极,Q1、Q2集电极接地,M7漏极连接Q2基极和M8源极,M8漏极接地,M8栅极连接上阈值电压VTH+,M9漏极连接M12栅极和M10源极,M10漏极接地,M11漏极连接M12和M13源极,M12漏极接地,M13漏极连接M14漏极和栅极及反相器输入端,M14源极接地,M15漏极接M13栅极和M16源极,M16漏极接地,M16栅极连接下阈值电压VTH‑,NPN型三极管Q3集电极接高电平VDD,Q3发射极连接M17源极,M17栅极和漏极相连并输出电压VA,M17漏极连接M18漏极,M17栅极连接二选一选择电路的B输入端,二选一选择电路的A输入端连接下阈值电压VTH‑,反相器输出端连接二选一选择电路的使能端EN,二选一选择电路的输出端输出电压VOUT。
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