| 发明名称 | 具有扩展的有源区的半导体器件 | ||
| 摘要 | 在半导体层中和上实现制作半导体器件(10)的方法。与第一有源区(24、26、28、30)相邻地形成沟槽(18、20、22)。用绝缘材料(32、34、36)填充沟槽。在沟槽的中心部分上形成掩蔽特征物(48、50、52)以在掩蔽特征物的第一侧与第一有源区之间暴露沟槽的第一侧。蚀刻到沟槽的第一侧内的步骤在沟槽中留下第一凹部(54、56、58、60)。在第一凹部中生长第一外延区(62、66)以将第一有源区扩展成包括第一凹部，并由此形成扩展的第一有源区。 | ||
| 申请公布号 | CN102113110B | 申请公布日期 | 2013.12.11 |
| 申请号 | CN200980129750.6 | 申请日期 | 2009.05.11 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | M·D·霍尔;G·C·阿伯林;C-C·付 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种在半导体层中和上形成平面半导体器件的方法，包括：形成与第一有源区相邻的沟槽；用绝缘材料填充所述沟槽；在所述沟槽的中心部分上形成掩蔽特征物以在所述掩蔽特征物的第一侧与所述第一有源区之间暴露所述沟槽的第一侧；蚀刻到所述沟槽的第一侧内以在所述沟槽中留下第一凹部；以及在所述第一凹部中生长第一外延区，其中所述第一外延区完全填充所述第一凹部，以将所述第一有源区扩展成包括所述第一凹部，并由此形成扩展的第一有源区。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||