发明名称 | 一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法 | ||
摘要 | 一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法,包括:将碳酸锂质量含量为23%~45%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到富锂多晶粉末A,将A装入耐高温的坩埚下部;把待扩散的缺锂铌酸锂晶体放置在A上,晶体周围裸露的A用铂金片覆盖;再用碳酸锂质量含量为10%~18%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到贫锂多晶粉末B,将B装入坩埚上部;然后将坩埚在高温炉中加热进行扩散处理,扩散温度为1000~1150℃,扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定,扩散温度越高、晶体厚度越小需要的扩散时间越短,反之时间越长。经过扩散处理后,可以获得高质量的近化学计量比铌酸锂晶体。 | ||
申请公布号 | CN102689927B | 申请公布日期 | 2013.12.11 |
申请号 | CN201210203084.X | 申请日期 | 2012.06.19 |
申请人 | 南开大学 | 发明人 | 孙军;许京军;李威;张华;张玲;孔勇发;杨金凤 |
分类号 | C30B29/30(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/30(2006.01)I |
代理机构 | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人 | 侯力 |
主权项 | 一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法,其特征在于:将缺锂铌酸锂晶体的一侧与碳酸锂质量含量为23%~45%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到粒度为0.01mm~0.5mm的富锂多晶粉末A接触,另一侧与碳酸锂质量含量为10%~18%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到粒度为0.01mm~0.5mm的贫锂多晶粉末B接触,其中,富锂多晶粉末A放入坩埚底部,将待扩散的缺锂铌酸锂晶体放在这些富锂多晶粉末A的上面,晶体周围裸露的多晶粉末用铂金片覆盖,再往坩埚上部放入贫锂多晶粉末B,无须密封,然后将坩埚放入高温炉在1000~1150℃温度下进行高温扩散处理,即可获得近化学计量比铌酸锂晶体。 | ||
地址 | 300071 天津市南开区卫津路94号 |