发明名称 |
一种碳纳米管-硅薄膜叠层太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种碳纳米管-硅薄膜叠层太阳能电池及其制备方法。该叠层电池太阳能电池,其包括依序层叠的:透明衬底、透明导电薄膜、硅薄膜层、碳纳米管薄膜和背电极,所述硅薄膜层由至少两层硅薄膜组成,所述硅薄膜层中的硅为非晶硅或微晶硅;所述硅薄膜层与所述碳纳米管薄膜构成异质结。所述硅薄膜可以为PN双层薄膜、PIN三层薄膜、NPN三层薄膜或者NPIN四层薄膜。在薄膜叠层电池中,碳纳米管作为P+层,与上述硅薄膜构成CNT/P+-P/N结构的叠层电池,或者CNT/P+-P/I/N结构的叠层电池,或者CNT/P+-N/P/N结构的叠层电池,或者CNT/P+-N/P/I/N结构的叠层电池。该碳纳米管-硅薄膜叠层电池可以有效提高电池的开路电压、转换效率等,并且具有工艺简单,成本低廉的特点。 |
申请公布号 |
CN102437226B |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
CN201110414526.0 |
申请日期 |
2011.12.13 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
韦进全;王红光;白曦;贾怡;朱宏伟;王昆林;吴德海 |
分类号 |
H01L31/076(2012.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/076(2012.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅 |
主权项 |
一种碳纳米管‑硅薄膜叠层太阳能电池,其包括依序层叠的:透明衬底、透明导电薄膜、硅薄膜层、碳纳米管薄膜和背电极,其特征在于:所述硅薄膜层由至少两层硅薄膜组成,所述硅薄膜层中的硅为非晶硅或微晶硅;所述硅薄膜层与所述碳纳米管薄膜构成异质结。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华园1号清华大学 |