| 发明名称 | 三维集成电路叠层体、以及三维集成电路叠层体用层间填充材料 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种由兼备高导热性和低线膨胀性的层间填充材料组合物填充的三维集成电路叠层体。本发明的三维集成电路叠层体具有半导体基板叠层体，该半导体基板叠层体是将至少2层以上形成有半导体器件层的半导体基板叠层而得到的，其中，在该半导体基板之间具有第一层间填充材料层，所述第一层间填充材料层含有树脂(A)及无机填料(B)，并且导热系数为0.8W/(m·K)以上。 | ||
| 申请公布号 | CN103443919A | 申请公布日期 | 2013.12.11 |
| 申请号 | CN201280016243.3 | 申请日期 | 2012.03.30 |
| 申请人 | 三菱化学株式会社 | 发明人 | 河瀬康弘;池本慎;桐谷秀纪 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张平元 |
| 主权项 | 一种三维集成电路叠层体，其具有半导体基板叠层体，该半导体基板叠层体是将至少2层以上形成有半导体器件层的半导体基板叠层而得到的，其中，在该半导体基板之间具有第一层间填充材料层，所述第一层间填充材料层含有树脂(A)及无机填料(B)，并且导热系数为0.8W/(m·K)以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||