发明名称 | 垂直结构的被动像素阵列及其制造方法 | ||
摘要 | 图像传感器和图像传感器的使用方法,图像传感器的制造方法,和包含该图像传感器的设备在此披露。该图像传感器包括像素,其包括至少一个纳米柱,该至少一纳米柱周围围绕门电极,其中该至少一个纳米柱适应将入射其上的光转换成电信号,该门电极是可操作地截断或允许电流流过该至少一纳米柱。该图像传感器具有可以按照单独寻址的方式排列的复数个像素。该至少一纳米柱有包覆层。包覆层的折射率小于纳米柱的折射率。 | ||
申请公布号 | CN103444164A | 申请公布日期 | 2013.12.11 |
申请号 | CN201180067519.6 | 申请日期 | 2011.12.20 |
申请人 | 立那工业股份有限公司 | 发明人 | 俞荣濬;彼得·杜安;穆尼布·沃贝尔 |
分类号 | H04N3/14(2006.01)I | 主分类号 | H04N3/14(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 李春秀 |
主权项 | 一图像传感器包括:一基板;复数个像素,其中每个像素包括基本从基板垂直延伸的至少一纳米柱,和围绕该至少一纳米柱的一门电极;其中该至少一纳米柱适应将入射其上的光线转化成为电信号,并且该门电极可操作性地截断或者容许电流通过该至少一纳米柱;其中该至少一纳米柱包括一包覆层,该包覆层的折射率小于该纳米柱的折射率。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |