| 发明名称 | 具有预填充能力的存储器管理单元 | ||
| 摘要 | 本发明揭示用于存储器管理单元MMU的系统和方法，其经配置以用预期将在未来使用的地址翻译(202-204)条目自动地预填充翻译旁视缓冲器TLB(206、208)，进而减少TLB未中率且改善性能。所述TLB可以翻译条目预填充，其中对应于所述预填充的地址可基于预测来选择。预测可从外部装置(214)导出，或基于跨度值，其中所述跨度值可为预定常数或基于存取模式(216)而动态更改。预填充所述TLB可有效地移除在从关键路径确定针对TLB未中的地址翻译时涉及的等待时间。 | ||
| 申请公布号 | CN103443777A | 申请公布日期 | 2013.12.11 |
| 申请号 | CN201280015340.0 | 申请日期 | 2012.03.05 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 博胡斯拉夫·雷赫利克;托马斯·安德鲁·萨托里乌斯;迈克尔·威廉·莫罗;雷蒙德·P·帕尔马 |
| 分类号 | G06F12/10(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种充填翻译旁视缓冲器TLB(206、208)的方法，所述方法包括：接收(502)用于通过所述TLB翻译成物理地址(204)的第一虚拟地址(202)；以及在单个突发中，以用于从所述第一虚拟地址导出的一个或一个以上预填充虚拟地址的第一流的翻译预填充(504)所述TLB。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||