发明名称 一种高功率的半导体断路开关
摘要 本发明提出的一种高功率的半导体断路开关,主开关选用反向触发双极晶闸管(reverse switching dynistor,RSD),反向触发双极晶闸管是一种新型高功率半导体闭合开关,与普通晶闸管相比,RSD的通流能力强、电流变化率、延时抖动小;选用快恢复晶闸管作为初级开关,减小换流过程的能量损失,提高了输出效率。本发明的有益效果是,本发明所提出的基于RSD开关换流的断路开关能够提高输出脉冲的峰值电流、电流变化率、输出效率,减低输出延时和抖动,特别适用于长脉冲大电流应用的领域中。
申请公布号 CN103441699A 申请公布日期 2013.12.11
申请号 CN201310331972.4 申请日期 2013.08.01
申请人 西北核技术研究所 发明人 王海洋;谢霖燊;何小平;张国伟;陈维青;陈志强;郭帆;贾伟;李俊娜;汤俊萍;孙凤荣
分类号 H02M9/04(2006.01)I 主分类号 H02M9/04(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 王鲜凯
主权项 一种高功率的半导体断路开关,其特征在于包括充电电源U、晶闸管Th1、二极管D1,D2,D3、电感L1、电感L2、触发开关S1、触发电容C1、主开关RSD、磁开关MS、换流电容C2和回路电感L0;充电电源U的正端通过串联的晶闸管Th1和二极管D3与回路电感L0连接,回路电感L0的另一端连接充电电源U的负端并接地;电感L1连接于晶闸管Th1与二极管D3的节点和充电电源U的负端;二极管D2、主开关RSD、磁开关MS和换流电容C2的串联电路与二极管D3并联;触发开关S1和电感L2的串联电路与触发电容C1和主开关RSD并联;所述二极管D1与晶闸管Th1反向并联;所述晶闸管Th1和二极管D3反向连接;所述换流电容C2的负端连接回路电感L0。
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