一种低触发电压高镇流电阻的SCR ESD保护器件

摘要

一种低触发电压高镇流电阻的SCR ESD保护器件，属于电子技术领域。本发明利用重掺杂区与衬底区在垂直方向的触发，成功将雪崩击穿由器件表面转移到器件内部；通过增加STI隔离区，消除silicide工艺的不利影响，有效提高了ESD保护器件的镇流(ballast)电阻。

主权项

一种低触发电压高镇流电阻的SCR ESD保护器件，包括：P型衬底（1），位于P型衬底上的N型阱区（2）、两个N+重掺杂区（3和5）、两个P+重掺杂区（4和6）、两个浅槽隔离区（7和8）以及一个多晶硅栅区（9）；N型阱区（2）位于P型衬底（1）顶部，第一P+重掺杂区（4）和第一浅槽隔离区（7）位于N型阱区（2）的顶部，第一N+重掺杂区（3）跨接在P型衬底（1）和N型阱区（2）的顶部，第一P+重掺杂区（4）位于第一浅槽隔离区（7）和第一N+重掺杂区（3）之间；第二N+重掺杂区（5）、第二P+重掺杂区（6）和第二浅槽隔离区（8）位于N型阱区（2）外的P型衬底（1）顶部，其中第二N+重掺杂区（5）靠近于第一浅槽隔离区（7），第二P+重掺杂区（6）远离第一浅槽隔离区（7），第二浅槽隔离区（8）夹于第二N+重掺杂区（5）和第二P+重掺杂区（6）之间；多晶硅栅（9）位于第一浅槽隔离区（7）与第二N+重掺杂区（5）之间的半导体表面上方，多晶硅栅（9）与半导体之间具有绝缘层（10）；第一N+重掺杂区（3）和第一P+重掺杂区（4）通过金属导线连出作为器件的阳极；第二N+重掺杂区（5）、第二P+重掺杂区（6）以及多晶硅栅（9）通过金属导线连在一起作为器件的阴极；应用时，器件阳极接至需受ESD保护的芯片的引脚端口，器件阴极接至地电位。