发明名称 |
MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门 |
摘要 |
本实用新型利用新型纳米电子器件单电子晶体管与MOS管混合结构所具有的库仑阻塞振荡效应和多栅输入特性,提出了一种MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门。通过偏置输入端和控制端,该逻辑单元就能够实现或、或非、与、与非、异或、同或所有的二输入逻辑功能,而不需要改变电路的器件参数,仅消耗3个PMOS管,3个NMOS管和3个SET。该可复用逻辑门结构简单、功耗低、集成度高,具有较高的可重构特性,有望在将来的低功耗、高集成度的超大规模集成电路中得到应用。 |
申请公布号 |
CN203340048U |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
CN201320342075.9 |
申请日期 |
2013.06.13 |
申请人 |
福州大学 |
发明人 |
魏榕山;陈锦锋;于志敏;何明华 |
分类号 |
H03K19/20(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/20(2006.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门,其特征在于:包括第一二输入SET/MOS混合电路、第二二输入SET/MOS混合电路以及第三二输入SET/MOS混合电路;所述第三二输入SET/MOS混合电路的输入端分别对应与所述第一二输入SET/MOS混合电路、第二二输入SET/MOS混合电路的输出端连接。 |
地址 |
350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区 |