一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法

摘要

一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。

主权项

一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，清洗后得样品；2）用全息激光干涉法对步骤1）得到的样品进行曝光显影，得到周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；3）利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。