发明名称 电熔丝、电阻与晶体管的制造方法
摘要 一种电熔丝、电阻与晶体管的制造方法,首先,提供基底,然后,形成晶体管栅极、电阻和电熔丝于该基底上,且晶体管栅极、电阻、电熔丝均具有第一介电层、多晶硅层、硬掩模,之后,形成源极/漏极掺杂区于晶体管栅极旁的基底中,接着,去除电阻以及电熔丝中的硬掩模,然后,进行金属硅化工艺,形成金属硅化层于源极/漏极掺杂区、电阻上以及电熔丝上,再形成平坦化的第二介电层覆盖基底,并曝露出晶体管栅极的多晶硅层、电阻和电熔丝,之后,移除晶体管栅极中的多晶硅层,以形成凹槽,最后形成金属层填满凹槽。
申请公布号 CN102082122B 申请公布日期 2013.12.11
申请号 CN200910225877.X 申请日期 2009.11.30
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 林永昌;吴贵盛;翁彰键;曾靖翔
分类号 H01L21/82(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/82(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 彭久云
主权项 一种电熔丝、电阻与晶体管的制造方法,包含:提供基底;形成晶体管栅极、电阻和电熔丝于该基底上,且该晶体管栅极、该电阻、该电熔丝均具有第一介电层、多晶硅层、硬掩模;形成源极/漏极掺杂区于该晶体管栅极旁的基底中;去除该电阻以及该电熔丝中的该硬掩模;进行金属硅化工艺,分别形成金属硅化层于该源极/漏极掺杂区、该电阻上以及该电熔丝上;形成平坦化的第二介电层覆盖该基底,并曝露出该晶体管栅极的该多晶硅层、该电阻和该电熔丝;移除该晶体管栅极中的该多晶硅层,以形成凹槽;以及形成金属层填满该凹槽。
地址 中国台湾新竹科学工业园区