纹理化半导体衬底的改进方法

摘要

本发明涉及纹理化半导体衬底的改进方法，提供了一种清洁半导体衬底的方法，包括：a)用碱性或酸性的硅蚀刻溶液清洁半导体衬底；b)用包含一种或多种氧化剂的氧化组合物氧化清洁后的半导体衬底表面，该氧化组合物具有大于7的pH值；以及c)纹理化该氧化的半导体衬底。纹理化的半导体可用于光电器件的制造。

主权项

一种纹理化单晶硅半导体衬底的方法，包括：a）切割单晶硅晶锭以形成单晶硅半导体衬底，紧接着，b）用碱性的硅蚀刻溶液清洁单晶硅半导体衬底，所述碱性的硅蚀刻溶液包含一种或多种季铵盐氢氧化物，一种或多种碱金属氢氧化物，以及一种或多种中级烷氧基化物，该一种或多种中级烷氧基化物具有下列通式：R1‑O‑[(CH2CH(R2)‑O)x(CH2CH2O)y]z‑H    (I)其中，对于每个具体值x独立地为0或从1到11的实数，条件是，对于至少一个具体值，x大于0；对于每个具体值y独立地为0或从1到20的实数，条件是，对于至少一个具体值，y大于0；z为从1到50的整数；R1为C6‑10支化的或线形的醇；且R2在每个具体情况中独立地为‑CH3或‑CH2CH3；紧接着，c）用包含一种或多种氧化剂的氧化组合物氧化清洁后的单晶硅半导体衬底表面，该氧化剂选自：臭氧、过氧化物、次氯酸盐、氯酸盐、高氯酸盐、次溴酸盐、溴酸盐、次碘酸盐、碘酸盐、有机过酸及其盐、无机过酸及其盐，该氧化组合物具有大于7的pH值，其中，所述有机过酸及其盐选自：过羧酸及其盐，过亚氨酸及其盐，过氧十二烷酸，过邻苯二甲酸镁，过月桂酸，邻苯二酰亚氨基过氧己酸，过苯甲酸，烷基过苯甲酸，以及硫酸氢盐；紧接着，d）纹理化该清洁的、氧化的单晶硅半导体衬底。