发明名称 |
光电转换装置、图像拾取系统及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统及其制造方法。一种光电转换装置包括:其上布置有光电转换元件和晶体管的半导体衬底;以及包括第一布线层和在第一布线层之上的第二布线层的多个布线层,其中半导体衬底和多个布线层中的任一布线层之间的连接、晶体管的栅极电极和多个布线层中的任一布线层之间的连接、或者第一布线层和第二布线层之间的连接具有堆叠接触结构。 |
申请公布号 |
CN102201420B |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
CN201110073039.2 |
申请日期 |
2011.03.25 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
成瀬裕章;都甲宪二;板桥政次 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
杨国权 |
主权项 |
一种光电转换装置,包括:其上布置有像素区和外围电路区的半导体衬底,在所述像素区中布置有多个包括光电转换元件和晶体管的像素,所述外围电路区具有晶体管以及比像素区多的布线层;以及布线部分,所述布线部分被布置在所述半导体衬底上并且具有多个层间绝缘膜和多个布线层,所述多个层间绝缘膜包括第一层间绝缘膜以及布置在第一层间绝缘膜之上的第二层间绝缘膜,所述多个布线层包括第一布线层以及布置在第一布线层之上的第二布线层,其中,所述布线部分在所述外围电路区中具有所述第一布线层以及与所述第一布线层连接并被布置在第一层间绝缘膜中的插塞,并且所述布线部分在所述像素区中具有所述第二布线层、与所述第二布线层连接的布置在第一层间绝缘膜中的插塞、以及布置在第二层间绝缘膜中的插塞,以及其中,在所述外围电路区中最接近半导体衬底布置的布线层是第一布线层,而在所述像素区中最接近半导体衬底布置的布线层是第二布线层。 |
地址 |
日本东京 |