发明名称 三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法
摘要 本发明提供一种三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法,在衬底上与下电极不重合的位置制备支撑结构;依次沉积第一绝缘材料层、与下电极接触的加热电极层以及第二绝缘材料层;利用相互垂直的第一、第二分隔槽分隔相邻所述下电极,形成三明治型刀片状电极;在所述第一、第二分隔槽内沉积绝缘材料;形成绝缘材料层并平坦化;使得三明治型刀片状电极露出;在所述三明治型刀片状电极上方形成与其接触的相变材料层;在所述相变材料层上形成上电极。本发明克服因加热电极被氧化导致电阻稳定性差,三明治型刀片状纳米电极包覆的氮化物有助于阻止电极被氧化,从而避免电极阻值的不稳定,克服了相变存储器器件的失效,提高器件的成品率。
申请公布号 CN103441215A 申请公布日期 2013.12.11
申请号 CN201310370735.9 申请日期 2013.08.22
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 刘波;宋志棠
分类号 H01L45/00(2006.01)I 主分类号 H01L45/00(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种三明治型刀片状电极的相变存储结构制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:1)提供一衬底,在该衬底内制备嵌于其中的若干下电极;2)在所述衬底上与所述下电极不重合的位置制备支撑结构;3)在步骤2)获得的结构上形成第一绝缘材料层;并刻蚀掉所述下电极上表面的第一绝缘材料层;4)继续形成位于所述第一绝缘材料层上的加热电极层,所述加热电极层与所述下电极上表面接触;5)接着在所述加热电极层上形成第二绝缘材料层;6)利用第一分隔槽分隔相邻所述下电极,形成隔离的三明治型刀片状电极结构;7)在所述第一分隔槽内沉积绝缘材料;形成第三绝缘材料层并平坦化8)利用与第一分隔槽垂直的第二分隔槽隔离所述三明治型刀片状电极结构;9)在所述第二分隔槽中沉积绝缘材料;形成第四绝缘材料层并平坦化;直至暴露出三明治型刀片状电极结构;10)在所述暴露的三明治型刀片状电极结构上方形成与其接触的相变材料层;11)在所述相变材料层上形成上电极。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号