发明名称 |
基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED及其制作方法,采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术制备P型掺杂纳米晶硅薄膜材料,并使其与ITO一起构成OLED的复合阳极,此复合阳极具有吸收率低、近似半反半透的光学特性,与高反射率的阴极Al使OLED产生了微腔效应,使得器件出光强度增大,电流效率和功率效率均有显著提高;而且,微腔的色坐标较常规OLED器件的色坐标有很大的改善,更加接近于标准值。这说明由于微腔效应使器件出光的色纯度更好,这有利于三基色合成彩色的实现。 |
申请公布号 |
CN103441222A |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
CN201310304148.X |
申请日期 |
2013.07.17 |
申请人 |
五邑大学 |
发明人 |
李阳 |
分类号 |
H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/52(2006.01)I |
代理机构 |
广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 |
代理人 |
谭志强 |
主权项 |
基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED,包括具有基板(1)并包含形成于阴极(2)和阳极(3)组成的两个电极之间的微腔(4),所述微腔(4)包括多个有机层,所述有机层有至少一个发光层,其特征在于:所述的阳极(3)由P型掺杂纳米晶硅薄膜(31)和铟锡氧化物(ITO)层(32)复合制成,所述P型掺杂纳米晶硅薄膜(31)位于基板(1)的上方。 |
地址 |
529020 广东省江门市东成村22号 |