发明名称 |
一种制造ESD器件的方法、ESD器件和显示面板 |
摘要 |
本发明公开了一种制造ESD器件的方法、ESD器件和显示面板,能够较好地解决阵列基板上积聚的静电电荷对未形成的ESD器件的破坏,提高阵列基板的良品率。该方法包括在ESD器件的制造过程中,通过构图工艺在基板上形成薄膜晶体管,以及与所述薄膜晶体管栅极和源极连接的第一引线,且将所述第一引线断开为至少两段引线段;或与所述薄膜晶体管栅极和漏极连接的第二引线,且将所述第二引线断开为至少两段引线段;在形成第一引线或第二引线的基板上,沉积钝化层薄膜,通过构图工艺在所述钝化层薄膜上形成用于连接引线段的过孔;在形成过孔的基板上沉积透明导电膜层,所述透明导电膜层通过过孔将所述引线段之间导通。 |
申请公布号 |
CN103441119A |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
CN201310281912.6 |
申请日期 |
2013.07.05 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
发明人 |
蔡振飞;郝昭慧 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种制造防静电击穿ESD器件的方法,其特征在于,包括:在ESD器件的制造过程中,通过构图工艺在基板上形成薄膜晶体管,以及与所述薄膜晶体管栅极和源极连接的第一引线,且将所述第一引线断开为至少两段引线段;或与所述薄膜晶体管栅极和漏极连接的第二引线,且将所述第二引线断开为至少两段引线段;在形成第一引线或第二引线的基板上,沉积钝化层薄膜,通过构图工艺在所述钝化层薄膜上形成用于连接引线段的过孔;在形成过孔的基板上沉积透明导电膜层,所述透明导电膜层通过过孔将所述引线段之间导通。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |