石墨烯的低折射率差波导调制器及制备方法

摘要

一种石墨烯电吸收低折射率差波导调制器，包括：一衬底；一下包层，其制作在衬底上；一波导芯层，其制作在下包层上的中间部位，形成脊形结构；一ITO透明电极，其制作在波导芯层上及两侧，并覆盖暴露的下包层的上表面；一下绝缘介质层，其制作在ITO下电极的表面，该脊形结构的一侧，该绝缘介质层为断开状，形成一窗口；一单层石墨烯薄膜，其制作在下绝缘介质层上；一金属电极，其制作在脊形结构一侧，远离窗口的另一侧的单层石墨烯薄膜上，该金属电极与脊形结构有一预定距离，该距离大于800nm；一上绝缘介质层，其制作在脊形结构上的单层石墨烯薄膜上；一高折射率氧化硅层，其制作在上绝缘介质层上。本发明具有体积小、调制带宽宽、插入损耗小和制备工艺简单的优点。

主权项

一种石墨烯电吸收低折射率差波导调制器，包括：一衬底；一下包层，其制作在衬底上；一波导芯层，其制作在下包层上的中间部位，形成脊形结构；一ITO透明电极，其制作在波导芯层上及两侧，并覆盖暴露的下包层的上表面；一下绝缘介质层，其制作在ITO下电极的表面，该脊形结构的一侧，该绝缘介质层为断开状，形成一窗口；一单层石墨烯薄膜，其制作在下绝缘介质层上；一金属电极，其制作在脊形结构一侧，远离窗口的另一侧的单层石墨烯薄膜上，该金属电极与脊形结构有一预定距离，该距离大于800nm；一上绝缘介质层，其制作在脊形结构上的单层石墨烯薄膜上；一高折射率氧化硅层，其制作在上绝缘介质层上。