发明名称 喷淋头以及气相沉积反应腔
摘要 本发明揭示了一种喷淋头,所述喷淋头用于向气相沉积的反应腔中气体反应区域输出反应气体,所述喷淋头至少包括第一源气体腔、冷却腔和离子化腔,所述第一源气体腔用于向所述气体反应区域输出第一源气体,所述离子化腔用于向所述气体反应区域输出离子化的第二源气体。本发明还提供一种包含上述喷淋头的气相沉积反应腔。本发明提供的喷淋头的所述离子化腔将所述第二源气体进行离子化,提高所述第二源气体的离子化效率,可以降低所述气体反应区域的温度,使得衬底的温度降低,从而提高气相沉积的效率、降低制造成本、提高LED芯片的良率。
申请公布号 CN103436858A 申请公布日期 2013.12.11
申请号 CN201310347789.3 申请日期 2013.08.09
申请人 光垒光电科技(上海)有限公司 发明人 梁秉文
分类号 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/452(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种用于气相沉积的反应腔的喷淋头,所述反应腔包括气体反应区域,所述喷淋头邻近所述气体反应区域设置,所述喷淋头用于向所述气体反应区域输出反应气体,所述喷淋头至少包括第一源气体腔和冷却腔,所述第一源气体腔内通入第一源气体;其特征在于:所述喷淋头还包括一离子化腔,所述第一源气体腔设置在所述喷淋头背离所述气体反应区域的一侧,所述离子化腔设置在所述喷淋头面向所述气体反应区域的一侧,所述离子化腔内通入第二源气体,以对所述第二源气体进行离子化,所述离子化腔与所述气体反应区域之间设置有出气通道,所述离子化腔与所述气体反应区域之间通过所述出气通道连通,所述第一源气体腔至少与一第一气管连通,所述第一气管穿过所述冷却腔和离子化腔,并连通所述气体反应区域;其中,所述第二源气体的分解温度高于所述第一源气体的分解温度。
地址 200050 上海市长宁区延安西路889号1106B室