一种中低频窄带陶瓷滤波器用压电陶瓷材料

摘要

本发明涉及无机非金属材料技术领域，特指一种中低频窄带陶瓷滤波器用压电陶瓷材料。所述压电陶瓷的组成为：（xPbNb2O6-mBiCoO3-y(Pb0.85Sr0.1Ba0.05)(Zr0.50Ti0.50)O3）+0.01~0.6wt.%LaMnO3+0.03~0.8wt.%WO3+0.01~0.6wt.%LiNbO3；其中,0.01≤x≤0.1mol,0.01≤m≤0.1mol,0.8≤y≤0.98mol,x+m+y=1。所制备的压电陶瓷的介电常数约为1500左右,机械品质因素为4200左右，径向机电耦合系数为0.20左右，谐振频率温度系数小于0.01%(-55~+85℃),谐振频率时间稳定性好小于0.005%（老化200小时），介质损耗小于0.03%；使用过程中性能稳定性好，安全性高。

主权项

一种中低频窄带陶瓷滤波器压电陶瓷，所述压电陶瓷的介电常数为1483‑1512，机械品质因素为4189‑4230，径向机电耦合系数为0.18‑0.22，谐振频率温度系数在‑55~+85℃温度范围内为0.004%‑0.008%，老化200小时后的谐振频率时间稳定性tfr为0.0022%‑0.0041%，介质损耗为0.018%‑0.028%，其特征在于：所述压电陶瓷的组成为：（xPbNb2O6‑mBiCoO3‑y(Pb0.85Sr0.1Ba0.05)(Zr0.50Ti0.50)O3）+0.01~0.6 wt.% LaMnO3 +0.03~0.8 wt.% WO3+0.01~0.6wt.%LiNbO3；其中,0.01≤x≤0.1 mol, 0.01≤m≤0.1 mol, 0.8≤y≤0.98 mol, x+m+y=1；其中PbNb2O6、BiCoO3、(Pb0.85Sr0.1Ba0.05)(Zr0.50Ti0.50)O3、LaMnO3、 LiNbO3分别是采用常规的化学原料以固相法合成；LaMnO3、WO3、LiNbO3的加入量是基体（xPbNb2O6‑mBiCoO3‑y(Pb0.85Sr0.1Ba0.05)(Zr0.50Ti0.50)O3）质量的0.01~0.6 %、0.03~0.8 %和0.01~0.6%。