发明名称 |
一种三维封装互连结构及其制作方法 |
摘要 |
一种三维封装互连结构及其制作方法,该三维封装互连结构采用以聚合物材料为核心和外围导电层形成导电柱体,对导电柱进行塑封形成垂直互连结构,该发明由于避免了TSV通孔的制作,具有制作简单、成本低廉的优点,且,由于聚合物硬度较低,对凸点起到应力缓冲的作用,降低了焊点开裂和晶圆翘曲等问题。 |
申请公布号 |
CN103441111A |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
CN201310256978.X |
申请日期 |
2013.06.25 |
申请人 |
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
发明人 |
何洪文;张文奇 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
唐灵;常亮 |
主权项 |
一种三维封装互连结构,包括垂直互连结构和封装于该垂直互连结构正面的多个芯片,其特征在于:所述垂直互连结构包括多个导电柱体和填充于该多个导电柱体之间的介质层,所述导电柱体包括聚合物核心和形成于该聚合物核心表面的导电层,该多个导电柱体具有露出于所述介质层的第一导电面和与该第一导电面相对的同样露出于所述介质层的第二导电面,该多个导电柱体之间至少有部分彼此绝缘,所述多个芯片电性连接于所述第一导电面上。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 |