浮栅MOS晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种浮动栅极的制造方法，包括以下步骤：于一硅衬底的表面依次沉积介质层、多晶硅层和氮化物层；依次刻蚀所述氮化物层、多晶硅层和所述介质层至所述硅衬底中，形成STI沟槽；沉积一氧化层充满所述STI沟槽并覆盖剩余氮化物层的表面；对所述氧化硅层进行平坦化工艺，去除位于所述剩余氮化物层的表面上的氧化硅层；回蚀部分位于STI沟槽中氧化硅层后，去除所述剩余氮化物层。本发明发明先进行所有的沉积步骤，然后采用同步刻蚀的方案，同时完成FG和STI工艺，相比较传统技术简化了工艺流程，进而提高生产效率，缩短出货时间，提高了经济效益。

主权项

一种浮栅MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：于一硅衬底的表面依次沉积介质层、多晶硅层和氮化物层；依次刻蚀所述氮化物层、多晶硅层和所述介质层至所述硅衬底中，形成STI沟槽；沉积一氧化层充满所述STI沟槽并覆盖剩余氮化物层的表面；对所述氧化硅层进行平坦化工艺，去除位于所述剩余氮化物层的表面上的氧化硅层；回蚀部分位于STI沟槽中氧化硅层后，去除所述剩余氮化物层；进行后续浮栅晶体管的制造工艺。