发明名称 | 光刻设备和方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种光刻设备及光刻方法。所述光刻设备,包括:照射系统,用于提供辐射束;支撑结构,用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束;衬底台,用于保持衬底;投影系统,用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;和检测器,配置成测量辐射束的性质,所述检测器包括第一和第二发光单轴晶体,每一个发光单轴晶体具有光轴,第一单轴晶体的光轴布置成使得其基本上垂直于第一单轴晶体的光轴。 | ||
申请公布号 | CN102193336B | 申请公布日期 | 2013.12.11 |
申请号 | CN201110065429.5 | 申请日期 | 2011.03.11 |
申请人 | ASML荷兰有限公司 | 发明人 | R·P·斯拖尔克;P·范德维恩 |
分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
主权项 | 一种光刻设备,包括:照射系统,用于提供辐射束;支撑结构,用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束;衬底台,用于保持衬底;投影系统,用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;和检测器,配置成测量辐射束的强度,所述检测器包括第一和第二发光单轴晶体,每一个发光单轴晶体具有光轴,第二单轴晶体的光轴布置成使得其基本上垂直于第一单轴晶体的光轴;所述检测器取向成使得辐射束传播通过第一晶体,然后通过第二晶体;并且其中第二单轴晶体配置成补偿当辐射束通过第一单轴晶体和/或从第一单轴晶体到第二单轴晶体时发生的辐射损失,所述第二单轴晶体与第一单轴晶体的材料相同;并且其中第二单轴晶体配置成使得其在辐射束传播方向上的厚度大于第一单轴晶体在辐射束的传播方向上的厚度;或者所述第二单轴晶体配置成使得其吸收系数大于第一单轴晶体的吸收系数。 | ||
地址 | 荷兰维德霍温 |