| 摘要 |
Способ изготовления полупроводниковой структуры, включающий имплантацию ионов в подложку и отжиг, отличающийся тем, что в предварительно аморфизированную поверхность кремниевой подложки ионами кремния сначала энергией 100 кэВ, дозой 1·10см, затем энергией 60 кэВ, дозой 6·10см, внедряют ионы бора с энергией 25 кэВ, дозой 2·10см, а отжиг осуществляют в два этапа: первый этап - в течение 60 мин при 600°С, второй этап - в течение 10 мин при 900°С. |
