| 摘要 |
Un dispositif à semiconducteur à séparation diélectrique comprend un substrat (2) dans lequel un substrat de support (3), une couche diélectrique enterrée (5) et un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivité (4) à faible concentration en impuretés sont feuilletés l'un sur l'autre. Le substrat semiconducteur (4) comprend une première région de semiconducteur (8) du premier type de conductivité ayant une concentration en impuretés élevée, une deuxième région de semiconducteur (10) d'un deuxième type de conductivité, ayant une concentration en impuretés élevée, entourant la première région de semiconducteur, une première électrode principale (12) jointe à une surface de la première région de semiconducteur (8), et une deuxième électrode principale (16) jointe à une surface de la deuxième région de semiconducteur (10). Une première partie diélectrique (17) est disposée en position adjacente à la couche diélectrique enterrée (5) de façon à entourer une région du substrat de support juxtaposée à la première région de semiconducteur, et un fil (13) est connecté à la première électrode principale (12). |
