PROCEDE DE FABRICATION DES MOTIFS NANOMETRIQUES SEMICONDUCTEURS UTILISANT DES COPOLYMERES A BLOCS ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR FDSOI

摘要

L'invention a pour objet un procédé de fabrication de motifs semiconducteurs de taille nanométrique caractérisé en ce qu'il comprend : - la réalisation d'un masque primaire de gravure à la surface d'une couche de matériau semiconducteur (12) supporté sur un substrat, ledit masque présentant des ouvertures primaires (O ) de dimensions L et L dans un plan défini par une première direction X et par une seconde direction Y, parallèles au plan de ladite couche semiconductrice ; - le dépôt d'un copolymère à bloc présentant une alternance d'au moins des premiers motifs de polymère (A) et des seconds motifs de polymère (B) dans lesdites ouvertures, lesdits premiers et seconds motifs de polymère étant respectivement de dimensions L et L et L et L , les dimensions L et L étant des dimensions nanométriques ; - le retrait d'une des séries de premiers motifs ou de seconds motifs de copolymère de manière à créer un masque secondaire présentant des ouvertures secondaires ; - la gravure de ladite couche semiconductrice au travers desdites ouvertures secondaires de manière à définir les motifs semiconducteurs (12ij) de taille nanométrique de dimensions L et L ou L et L . L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication d'un transistor FDSOI.